Этапы развития
Основанием для создания фирмы послужил уникальный опыт разработок и использования приборов и методов анализа поверхности, накопленный в лаборатории поверхностных явлений Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН (ИОФРАН). В частности, разработка сверхвысоковакуумного СТМ была стимулирована таким явлением как гигантское комбинационное рассеяние света, обнаруженным сотрудниками лаборатории при сверхвысоковакуумном хлорировании меди и серебра (Chem. Phys. Lett. 158 (1989) 271-273), и уже первое в России исследование поверхности на атомном уровне было проведено ими в 1995 г (JETP Lett. 62 (1995) 444). Именно здесь в 1998 году был создан промышленный образец сверхвысоковакуумного сканирующего туннельного микроскопа GPI 300 и налажено его производство. Первый прибор GPI 300 был поставлен в Италию в Университет г. Флоренции и до сих пор используется в исследованиях.
НПФ «Сигма Скан» создана в феврале 2002 г. для промышленной реализации разработанных приборов и методов анализа поверхности и в настоящее время позиционируется как фирма, производящая сверхвысоковакуумные компоненты, аналитическое оборудование и новейшие методики работы с поверхностью в условиях сверхвысокого вакуума.
В 2008 г. в ИОФРАН был создан прототип сверхвысоковакуумного низкотемпературного СТМ, работающего при гелиевых температурах. Промышленный вариант прибора производится в НПФ «Сигма Скан» под маркой GPI CRYO.
В 2009 г. НПФ «Сигма Скан» разработала комбинированный прибор СТМ/АСМ (акт. ссылка) для встраивания в растровый электронный микроскоп с целью получения топографии выделенных объектов с атомным пространственным разрешением. Первая реализация разработки была осуществлена для электронного микроскопа «Supra 40» фирмы Zeiss.
Наиболее значимым актуальным проектом компании является разработка технологической установки лабораторного уровня, предназначенной для конструирования поверхностных наноструктур с заданными свойствами, включая функциональные элементы электроники. Концепция данной установки базируется на сверхвысоком (или экстремально высоком) вакууме, контроле топологии и размеров элементов посредством совмещения сканирующего зондового (СЗМ) и растрового электронного микроскопов, прецизионных технологических операциях (вплоть до атомной точности) с использованием локальных химических реакций (в зоне СЗМ-зонда).
В настоящее время совместно с ИОФРАН разрабатываются операции нанолитографии кремния на основе электронно-стимулированной реакции в слое физсорбированного хлора, селективного травления полупроводников AIIIBV молекулярными галогенами и локальной металлизации зондом СЗМ.